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May 18,2012 “EXPREVIEW”Chinese Version--成本与性能齐降,20nm闪存SSD性能抢先曝光
虽说Intel 20nm NAND闪存到Q3才开始量产,但是目前仍有小量的20nm NAND闪存试产出来,像在Intel NAND上极有资源优势的SuperSSpeed,已经拿到了20nm的NAND闪存,并搭配SF2281主控开始生产新一代制程的SSD了。


Intel NAND各制程下的Die比较

  从目前的资料看,20nm制程的L84颗粒Page会有8KB(TSOP封装)和16KB(BGA封装)两种,由于密度的上升,每个Page的Spare Byte(用来存放ECC签名)也明显增加,比如说25nm时,一个8KB的Page需要有448bytes的Spare Area,当制程进步到20nm后,Spare Area却需要744bytes,每1KB数据需要更多的ECC检验数据。对于SandForce主控来说,RAISE冗余技术显得就更加重要了。

  还是来看看20nm NAND的性能吧,测试平台采用的是微星Z77主板,Windows 7 SP1系统:


HD Tune Pro下的Info信息(F3表示20nm制程)

  先关注一下HD Tune Pro中的Info,Serial这一项大多数情况下会显示该SSD所有闪存的型号(一般为编号后几位),对Intel闪存比较熟悉的同学应该会记得目前主流的编号后几位多是ACME3之类的,其中E表示制程,也就是25nm,而20nm的编号则是F,最后的数字可以理解为步进什么的,这次F3颗粒的具体编号为JS29F64G08ACMF3。


CDM的成绩


AS SSD成绩


PCMark 7成绩

  从现有的测试成绩看,20nm NAND闪存的SSD会比25nm下闪存的性能要低10%左右,尤其是4K随机性能下降得比较多,不过目前还是试验阶段,考虑到固件还会继续针对20nm进行优化,性能应该还会有所提升。

  据SuperSSpeed透露,20nm闪存的成本会下降5-10%,反正目前SSD的性能已经足够快了,价格还是主要瓶颈,期待一下,到了年底,20nm制程闪存SSD的大量上市,120GB的SSD会下降到500元吗?

 
 
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